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TL432BQDBZR,TI汽车级芯片

更新时间:2025-03-29 03:59:36 编号:s3bp2lff31185
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周玉军

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TL432BQDBZR,TI汽车级芯片

关键词
TI汽车级IC
面向地区

TI德州仪器电池管理电池保护器
部分型号主要参数特性:
BQ77207 3 系列至 7 系列锂离子电池、内部延迟计时器、电压和温度保护器
BQ77216 具有内部延迟计时器、适用于 3 节至 16 节串联锂离子电池的电压和温度保护器
BQ77915 具有电池自主平衡功能的 3 节至 5 节串联可堆叠低功耗初级保护器
BQ2980 适用于单节锂离子和锂聚合物电池的高侧保护器
BQ294533 适用于 2 节和 3 节锂离子电池的过压保护
BQ77904 3-4S 低功耗保护器
BQ2962 适用于 2 节、3 节和 4 节串联锂离子电池的过压保护

TI德州仪器MOSFET管更多型号请联系业务咨询:
CSD18532Q5BT
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD88584Q5DC - 采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、40V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块
CSD88599Q5DC - 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块
CSD87313DMS - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18510Q5B - 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.96mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18510KCS - 采用 TO-220 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

TPS61029QDRCRQ1
符合 AEC-Q100 标准的 0.9V 至 5.5V 输入范围、1.8A 升压转换器
封装信息
封装 | 引脚
VSON (DRC) | 10
工作温度范围 (°C)
-40 to 125
包装数量 | 包装
3,000 | LARGE T&R
TI/德州仪器电源管理芯片型号多,规格齐,需要具体型号请咨询。
其他部分型号有:
TPS78408QDBVRQ1
TPS74630PQWDRBRQ1
TPS74613PQWDRBRQ1
TPS6565342RHDTQ1
TPS61251DSGT
TPS22990DMLT
LMX2595RHAR
DAC8734SPFBR
TCAN334D
REF3430QDGKRQ1
TPS62130ARGTR

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详细资料

主营行业:IC集成电路
公司主营:MCU与微处理器,存储芯片与驱动芯片,电源管理与音频功放,数据转换与无线芯片
主营地区:深圳
企业类型:有限责任公司(自然人独资)
注册资金:人民币1000000万
公司成立时间:2018-12-27
经营模式:生产型
最近年检时间:2018年
登记机关:南山局
经营范围:电子元器件、电子产品、数码产品、通讯产品的技术开发、技术服务与销售;投资兴办实业(具体项目另行申报);经营电子商务;商务信息咨询;互联网科技产品、计算机软硬件的研发与销售;国内贸易;经营进出口业务。(以上项目法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外,限制的项目须取得许可后方可经营)^
公司邮编:518000
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